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MOSFET不同厚度薄栅老化中SILC的机制
通过对栅电流和栅电压漂移的测量,证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布,不同厚度的栅氧化层产生SILKC的机制不尽相同,......
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